В течение более десяти лет 2D-транзисторы на основе 2D-материалов демонстрировались в лабораториях, но масштабное производство оставалось недоступным. Однако на этой неделе Intel Foundry и Imec представили технологию, готовую для массового производства 2D-полевых транзисторов (2DFET) на 300-мм пластинах.
Текущие технологические процессы, такие как Intel 18A и TSMC N2, основаны на затворных транзисторах, однако CFET обещают увеличить плотность размещения. Несмотря на это, для дальнейшего масштабирования потребуется решение проблем, возникающих из-за малых размеров кремниевых каналов, что делает 2D-материалы, способные формировать тонкие каналы, всё более привлекательными.
Intel и Imec разработали совместимую с производством схему интеграции контактов и затворных структур, обеспечив целостность 2D-каналов. Эта работа не только снижает риски разработки, но и ускоряет тестирование новых технологий, что имеет огромное значение для будущего полупроводниковой отрасли.
