Компания Intel сообщила о значительном прогрессе в производстве двумерных транзисторов 2DFET, толщиной всего в несколько атомов. Хотя 2D-транзисторы разрабатывались более десяти лет, их массовое производство оставалось под вопросом. На этой неделе Intel Foundry и imec продемонстрировали интеграцию критически важных модулей на 300-миллиметровых пластинах, что подтверждает возможность использования 2D-материалов в масштабах крупного производства.
Инновации Intel включают новое решение для интеграции контактов и затворов, что позволяет сохранить целостность хрупких 2D-каналов. Используя метод селективного травления, компании удалось создать низкоомные контакты, совместимые с существующими производственными процессами. Несмотря на то, что внедрение 2D-транзисторов в производство ожидается не ранее второй половины 2030-х, работа Intel и imec снижает риски и ускоряет тестирование, готовя почву для будущих технологий.
