Прокуратура Центрального округа Сеула предъявила обвинения десяти лицам, замешанным в крупной краже технологий производства 10-нанометровой DRAM-памяти у Samsung Electronics. Пятерых из обвиняемых, среди которых есть и бывшие сотрудники компании, уже задержали. Ущерб, причиненный Samsung, оценен в 5 триллионов вон (около 3,5 миллиардов долларов), а последствия для экономики Южной Кореи могут составить десятки триллионов вон.
Расследование выявило, что китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT), основанная в 2016 году, привлекла бывшего начальника отдела Samsung для разработки своих технологий. В сотрудничестве с другими экс-сотрудниками он организовал систему кражи технологий. Один из них скопировал сотни этапов 18-нанометрового процесса производства DRAM, который Samsung разрабатывала в течение пяти лет и на который потратила 1,6 трлн вон.
Преступники создали фиктивную компанию, часто меняли местоположение и даже разработали собственный код для общения, чтобы избежать задержания. Полученные технологии были адаптированы к китайскому оборудованию, что позволило CXMT начать выпуск передовой памяти в 2023 году, сократив технологический разрыв. Прокуратура рассматривает этот инцидент как угрозу национальной безопасности, поскольку полупроводниковая отрасль составляет более 20% экспорта Южной Кореи. Власти пообещали продолжать жесткие меры против незаконной передачи технологий за пределы страны.
