Четвёртый квартал текущего года стал важным этапом для компании TSMC, так как именно в этот период стартовало массовое производство 2-нм чипов на заводе Fab 22 в Гаосюне, Тайвань. Как сообщает ресурс Tom’s Hardware, первый вариант техпроцесса N2 предлагает увеличение производительности на 10–15% при прежнем уровне энергопотребления, или же, напротив, сокращение энергозатрат на 25–30% с сохранением прежней производительности. Плотность транзисторов в чипах смешанного дизайна возрастет на 15%, а для логических компонентов — до 20%.
Впервые TSMC применяет структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA) в 2-нм техпроцессе, что улучшает электростатические характеристики и уменьшает утечки. Новые конденсаторы SHPMIM в системе питания чипов обеспечивают более высокую ёмкостную плотность и стабильное питание, что повышает эффективность.
Глава TSMC, Си-Си Вэй, заявил, что массовое производство N2 станет реальностью к концу четвертого квартала с высоким уровнем выхода качественной продукции. В 2026 году планируется наращивание объемов производства как для смартфонов, так и для ИИ-технологий. Ожидается, что оба завода начнут выпуск 2-нм чипов по новым технологиям N2P и A16 во второй половине 2026 года, что позволит создать более сложные и эффективные чипы.
