Новые стандарты HBM4E обещают облегчить производство памяти

Память типа HBM, состоящая из нескольких слоев, считается одной из самых быстрых, но её производство остаётся дорогостоящим и сложным. Согласно информации издания Business Korea, JEDEC готовит изменения в требованиях к высоте стека для HBM4E, что упростит работу производителям памяти. В настоящее время максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, тогда как для HBM4 этот предел установлен на уровне 775 мкм. Ожидается, что для HBM4E максимальная высота будет увеличена до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и повысить ёмкость стека. Современные чипы HBM3E имеют до 12 ярусов, но уже существуют образцы 16-ярусных чипов. Снижение требований также может привести к уменьшению уровня брака и увеличению объёмов годной продукции. Однако это может вызвать недовольство у южнокорейских производителей, таких как Samsung и SK hynix, которые уже превышают стандарты и могут столкнуться с усилением конкуренции со стороны китайских компаний.